ST마이크로, 절연 게이트 드라이버 출시
ST마이크로, 절연 게이트 드라이버 출시
  • 박채균 기자
  • 승인 2021.04.02 12:01
  • 댓글 0
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안전하게 실리콘 카바이드 MOSFET 제어
STGAP2SICS 게이트 드라이버
STGAP2SICS 게이트 드라이버

[아이티비즈 박채균 기자] ST마이크로일렉트로닉스(한국대표 박준식)가 절연 게이트 드라이버 STGAP 제품군에 새로운 STGAP2SiCS를 추가했다고 2일 밝혔다.

이 드라이버는 SiC MOSFET을 안전하게 제어하도록 최적화된 제품으로 최대 1,200V의 고전압 레일에서 동작한다. 최대 26V의 게이트 구동 전압을 생성해 15.5V의 높은 UVLO 임계값을 제공함으로써 SiC MOSFET의 턴온 요건을 충족하며, 낮은 공급 전압 때문에 구동 전압이 너무 낮으면 UVLO가 MOSFET을 턴오프해 과도한 손실을 방지한다. 

STGAP2SiCS는 입력 영역과 게이트 구동 출력 사이에 6kV의 갈바닉 절연을 제공하므로 컨슈머 및 산업용 애플리케이션의 안전을 보장하게 해준다. 4A의 출력 싱크/소스 기능은 고급 가전제품, 산업용 드라이버, 팬, 인덕션 히터, 용접기, UPS와 같은 장비의 중전력 및 고전력 컨버터와 전원공급장치 및 인버터에 적합하다. 

이 제품은 두 가지의 출력 구성으로 제공된다. 첫 번째 구성은 전용 게이트 저항을 사용해 턴온 및 턴오프 시간을 독립적으로 최적화할 수 있는 별도의 출력핀이 있다. 두 번째 구성은 고주파수 하드 스위칭을 지원하는데, SiC MOSFET의 게이트 소스 전압의 발진을 제한하는 액티브 밀러 클램프와 단일 출력 핀을 갖춰 원치 않는 턴온을 방지하고 신뢰성을 향상시켜 준다. 입력 회로는 3.3V까지 CMOS/TTL 로직과 호환되기 때문에 다양한 제어 IC와 쉽게 인터페이스할 수 있다. 

STGAP2SiCS는 시스템의 전력소모를 줄여주는 대기 모드는 물론, 하드웨어 인터로크 등 통합 보호 기능을 갖추고 있어 저전압 영역과 고전압 구동 채널 모두에서 교차전도 및 열 셧다운을 방지한다. 


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