[아이티비즈 박채균 기자] TI코리아(대표 박중서)는 자사의 고전압 전원 관리 제품 포트폴리오에 차량용 및 산업용 애플리케이션에 적합한 차세대 650V 및 600V 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 제품을 추가한다고 12일 밝혔다.
엔지니어들은 2.2MHz 고속 스위칭 게이트 드라이버가 통합된 GaN FET 신제품군을 통해 ▲전력 밀도는 두 배로 높고, ▲99%의 효율성을 달성하며, ▲기존 솔루션 대비 자기 소자의 크기를 59%까지 축소할 수 있는 솔루션을 개발할 수 있게 되었다. TI는 특허 받은 GaN 소재와 GaN-on-silicon(Si) 물질 처리 기술을 통해 실리콘 카바이드(SiC) 소재에 비해 비용과 공급망 측면에서 더 유리한 새로운 FET을 개발했다.
차량 전동화는 자동차 산업을 변화시키고 있으며, 소비자들은 갈수록 더 빠른 충전과 더 먼 거리를 주행할 수 있는 차량을 원한다. 차량 성능에 영향을 미치지 않으면서 차량 시스템의 크기와 무게를 줄이는 것은 엔지니어들의 과제가 되었다. TI의 새로운 차량용 GaN FET을 사용하면 기존 Si나 SiC 솔루션에 비해 전기차(EV) 온보드 차저 와 DC/DC 컨버터 의 크기를 최대 50%까지 축소할 수 있다.
이 디바이스를 통해 엔지니어는 설계 시 ▲배터리 범위를 확장하고, ▲시스템 신뢰성을 향상시키며, ▲비용을 절감할 수 있다. 하이퍼스케일 , 엔터프라이즈 컴퓨팅 플랫폼, 5G 통신 정류기 와 같은 산업용 AC/DC 전원 공급 애플리케이션에서 전력 손실을 낮추고 보드 공간을 줄이는 것은 매우 중요한 요구사항이다. TI의 새로운 디바이스는 이와 같은 산업용 설계에서 높은 효율과 전력 밀도를 달성할 수 있도록 해준다.
TI 고전압 전원 부문의 스티브 램버스 부사장은 “산업용과 차량용 애플리케이션은 점점 더 작은 공간에서 더 높은 전력을 요구하고, 엔지니어들은 최종 애플리케이션이 긴 수명과 안정성을 갖추고 작동할 수 있도록 검증된 전원 관리 시스템을 필요로 한다. TI의 GaN 기술은 4천만 시간 이상의 디바이스 신뢰성 테스트와 5GWh의 전원 변환 애플리케이션 테스트를 거쳐 모든 시장에서 엔지니어가 요구하는 수준의 신뢰성을 제공한다”고 말했다.
