[아이티비즈 박채균 기자] ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 스웨덴 노르셰핑에 위치한 자사 시설에서 차세대 전력 디바이스로 프로토타입의 200mm(8인치) 실리콘 카바이드(SiC; Silicon-Carbide) 벌크 웨이퍼를 생산했다고 9일 ㅂ발갰다.
200mm SiC 웨이퍼로의 전환은 자동차 및 산업용 분야의 ST 고객 프로그램을 위한 생산력의 증대에 이정표를 수립했으며, 총 소유비용을 더 낮춰 보다 작고 가벼우면서 효율적인 전력전자 장치를 구현해주는 혁신적 반도체 기술에 대한 주도권을 강화한다는 전략이다.
ST의 세계 최초 200mm SiC 웨이퍼는 수율에 미치는 영향과 크리스탈-전위 결함이 최소화돼 품질이 매우 우수하다. 웨이퍼의 낮은 불량율은 ST마이크로일렉트로닉스 실리콘 카바이드가 개발한 SiC 잉곳(ingot) 성장 기술의 탁월한 노하우와 전문성을 바탕으로 달성되었다. 200mm SiC 기판으로 이행하려면 품질 문제의 해결 외에도, 제조 장비와 전반적인 지원 에코시스템 성능이 한 단계 더 발전해야 한다. ST는 전체 공급망을 포괄하는 기술 파트너들과 협력해 자체 200mm SiC 제조 장비 및 공정 기술을 개발하는 중이다.
ST 자동차 및 디스크리트 그룹 사장인 마르코 몬티는 “200mm SiC 웨이퍼로의 이행은 시스템 및 전기화 전환을 가속화하는 자동차 및 산업용 분야 고객들에게 상당한 이점을 제공하게 된다”며, “제품 생산량이 늘어날수록 규모의 경제를 달성하는 것이 중요하다. 고품질 SiC 기판에서 대규모 프론트엔드 및 백엔드 생산에 이르기까지 제조 체인 전반에 걸쳐 SiC 에코시스템 내부에 강력한 노하우를 구축함으로써, 유연성을 높이고 웨이퍼의 수율과 품질 개선을 보다 효과적으로 제어할 수 있다”고 말했다.
