TI, 100V 하이사이드 FET 드라이버 선봬
TI, 100V 하이사이드 FET 드라이버 선봬
  • 박채균 기자
  • 승인 2016.02.03 16:29
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

새로운 차원 유연성, 전원 보호 기능 제공

[아이티비즈] TI코리아(대표 켄트 전)는 고전력 리튬 이온 배터리 애플리케이션을 위해 업계 최초의 단일 칩 100V 하이사이드 FET 드라이버를 출시한다고 밝혔다.

▲ bq76200

첨단 전원 보호 및 제어 기능을 제공하는 이 새로운 bq76200 고전압 솔루션은 드론 및 전동 툴, 전기 자전거 등을 비롯한 에너지 스토리지 시스템 및 모터 구동 애플리케이션에 많이 사용되는 배터리에서 하이사이드 N 채널 충전 및 방전 FET를 효율적으로 구동한다.

100V 하이사이드 FET 드라이버는 모터 구동 애플리케이션에서 배터리 전압이 정상 상태보다 무려 200% 이상 급격히 상승할 수 있는 유도성 과도현상이 발생할 때, 일반적인 50V 로우사이드 FET 드라이버 솔루션 보다 더 강력한 보호 기능을 제공한다.

또한 bq76200은 충전 및 방전 상태가 아닌 경우에도 지속적인 배터리 모니터링과 향상된 시스템 진단을 유지한다.


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.