5mm x 6mm QFN 패키지로 저항이 가장 낮은 25V 및 30V 디바이스
또한 저전압 배터리로 구동되는 애플리케이션에 사용이 적합한 TI의 신제품 12V FemtoFET CSD13383F4는 극소형의 0.6mm x 1mm 패키지로 경쟁제품 대비 84%의 가장 낮은 저항 특성을 가진다.
CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET MOSFET은 높은 전류에서 더 높은 전력 변환 효율을 달성하므로 컴퓨터 서버와 통신장비 애플리케이션에서 보다 안전한 동작이 가능하다. 예를 들어 25V CSD16570Q5B는 최대 0.59mW의 저항을, 30V CSD17570Q5B는 최대 0.69mW의 저항 특성을 가진다.
DC/DC 컨트롤러 애플리케이션을 위해 TI의 새로운 CSD17573Q5B 및 CSD17577Q5A를 LM27403과 함께 사용함으로써 완벽한 동기식 벅 컨버터 솔루션을 구현할 수 있다. 또한, CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET 전력 MOSFET을 TPS24720와 같은 TI의 핫스왑 컨트롤러와 함께 사용할 수 있다. 애플리케이션 노트 “신뢰성있는 핫스왑 설계 (Robust Hot Swap Designs)”에서 직렬 소자로서 트랜지스터 선택 방법, 모든 가능한 조건하에 보다 안전한 동작을 위한 설계 방법에 대해 확인할 수 있다.
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