[아이티비즈] ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 자동차 애플리케이션용 고전압 N-채널 전력 모스펫(MOSFET) 제품군을 새롭게 출시했다.
AEC-Q101 인증을 받은 디바이스로, 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재했고 ST의 최첨단 MDmesh DM2 초접합(Super-Junction) 기술로 구현됐다. 항복전압 범위가 400~650볼트 이상이며 D2PAK, TO-220, TO-247 패키지로 제공된다.
그 중 400볼트와 500볼트 디바이스는 이러한 항복전압에서는 AEC-Q101을 처음으로 인증받은 제품이고 600볼트와 650볼트 디바이스는 경쟁 제품 대비 훨씬 뛰어난 성능을 제공한다. 이 디바이스 모두 집적화된 고속 바디 다이오드, 보다 유연한 통신 활동, 백투백(back-to-back) 게이트-소스 제너 프로텍션(zener protection) 기능이 필요한 자동차 애플리케이션에 최적화되어 있다. 풀-브리지(Full-Bridge) 제로전압스위칭 토폴로지에 적합한 제품이다.
이번 ST의 새로운 전력 모스펫은 Trr/Qrr 과 자동차 시장에서의 유연성 측면 모두에서 최상의 성능을 제공하고 고전류에서의 턴-오프 에너지(Eoff) 성능 또한 뛰어나기 때문에 자동차 전원공급장치의 효율성 개선에도 도움을 준다. 이와 더불어 고속 바디 다이오드의 성능이 뛰어나서 EMI 문제를 덜어주고 보다 작은 패시브-필터링(Passive-Filtering) 부품 사용도 가능하다. 이렇게 MDmesh DM2 기술은 에너지 손실 방지, 효율성 극대화, 폼팩터 최소화에 기여하여 보다 친환경적인 전력 구현을 가능하게 한다.
