코스텍시스, 전기차 SiC 전력반도체용 고방열 스페이서 개발
코스텍시스, 전기차 SiC 전력반도체용 고방열 스페이서 개발
  • 김문구 기자
  • 승인 2023.01.25 14:20
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

국내외 대기업 시제품 납품
저열팽창 고방열 소재 기반의 코스텍시스 주요 제품
저열팽창 고방열 소재 기반의 코스텍시스 주요 제품

[아이티비즈 김문구 기자] 코스텍시스(대표 한규진)가 차세대 차량용 SiC 전력반도체 고방열 스페이서를 개발해 국내외 기업에 시제품 납품 중이라고 25일 밝혔다.

코스텍시스는 기존 차량용 전력반도체인 실리콘(Si,규소) 반도체를 대체할 수 있는 차세대 차량용 전력반도체인 탄화규소(SiC)반도체와 갈륨나이트라이드(GaN) 반도체의 고방열 스페이스를 개발했다. 현재 현대자동차와 LG마그나에 시제품을 지속 납품하고 있다. 

기존 전력반도체의 대부분을 차지하고 있는 실리콘 반도체는 동작 온도가 약 150도 이상이 되면 반도체로서의 기능을 상실한다. 이런 단점을 보완하기 위해 주목받는 차세대 반도체가 SiC 반도체와 GaN 반도체다.

SiC와 GaN 반도체는 물질 특성이 우수하여 실리콘 반도체와 달리 150도 이상의 고온에서도 동작이 가능하다. 반도체 칩은 열팽창이 작고 일반적인 구리기판은 열팽창이 커서 칩이 실장 된 솔더가 견디지 못하고 크랙(Crack)이 생기고 이로 인하여 반도체는 기능을 잃게 되고 폭발이나 화재로도 이어질 수 있다. 이의 대책으로 SiC, GaN 반도체에서 필연적으로 고려되고 있는 것은 반도체와 같이 열팽창이 적으면서도 열전도율이 좋은 방열소재로 칩 실장 기판의 써멀 매칭(Thermal Matching)이다.

코스텍시스는 SiC, GaN 반도체와 써멀 매칭이 최적화된 저열팽창 고방열 소재 개발에 성공한 후 5G 통신용 GaN 반도체의 RF(Radio Frequence) 패키지를 개발하여 글로벌 반도체 기업인 NXP 사를 비롯하여 국내외 많은 기업에 공급하고 있다.

코스텍시스 한규진 대표는 “최근 SiC, GaN 반도체가 실리콘에 비해 뛰어난 장점들로 인하여 차세대 전력 반도체로서 각광받고 있다”며, “코스텍시스는 일본 등 선진사로부터 수입에 의존하던 SiC, GaN 반도체의 필수 재료인 저열팽창 고방열소재 국산화에 성공했다. 뿐만 아니라 글로벌 제품 경쟁력까지 확보했다. 향후 차세대 전력반도체의 고성장에 맞춰 국내외 시장을 적극 공략하여 중장기적인 성장 동력을 만들어 가겠다”고 전했다.


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.