[아이티비즈 김문구 기자] 인텔은 11일(현지시간) 미 오리건주 힐스보로에 위치한 최첨단 반도체 공장 D1X 확장 오프닝 행사를 가졌다고 12일 발표했다.
팻 겔싱어 인텔 CEO는 미 정부 및 지역사회 관계자가 참석한 리본 커팅식에서 오리건주에 대한 인텔의 긍정적인 영향과 반도체 연구개발(R&D) 분야에서 미국의 리더십을 확보하기 위한 노력을 거듭 강조했다. 인텔은 또한 약 500 에이커 규모의 론러 에이커스 캠퍼스를 ‘고든 무어 파크(Gordon Moore Park)’로 개명했다. 인텔 공동 창업자 고든 무어가 1965년 발표한 ‘무어의 법칙’을 지난 50년 이상 이끌어 온 해당 캠퍼스의 역사와 공로를 기념해 해당 캠퍼스를 개명했다.
팻 겔싱어 인텔 CEO는 “인텔은 창립 이래 무어의 법칙을 끊임없이 발전시키는 데 주력해왔다”며, “새롭게 확장하는 D1X는 인텔의 도전적인 IDM 2.0 전략을 지원하기 위해 더욱 빠르게 공정 로드맵을 제공할 수 있도록 역량을 강화할 것이다. 오리건州는 인텔 글로벌 반도체 연구개발의 심장이다. 반도체 산업 발전의 핵심적인 역할을 한 고든 무어의 유산을 기념하는 가장 좋은 방법은 오리건 캠퍼스에 그의 이름을 부여하는 것”이라고 말했다.
고든 무어 파크는 인텔 글로벌 기술 개발 조직 본부로 무어의 법칙을 발전시키기 위해 신규 트랜지스터 아키텍처, 웨이퍼 공정 및 패키징 기술을 개발, 회사의 제품 로드맵을 뒷받침하고 개인용 컴퓨터, 클라우드 인프라 및 5G 네트워크를 아우르는 애플리케이션의 기반을 제공하는 역할을 수행한다. 고든 무어 파크에는 현재 힐스보로를 중심으로 약 1만여 명의 직원이 근무하고 있으며, 세계 최고 실리콘 공정 엔지니어링 조직 중 하나로 널리 인정받고 있다.
지난 25년 간 오리건 캠퍼스의 엔지니어와 과학자는 컴퓨터 칩 구성요소의 크기가 원자 수준으로 작아짐에 따르는 물리적 한계를 지속적으로 극복해왔다. 인텔은 하이-케이 메탈 게이트 기술, 트라이게이트 3D 트랜지스터 및 스트레인드 실리콘 등의 혁신 기술을 통해 무어의 법칙이 정의한 혁신의 속도에 발맞춰 기초 공정 혁신 기술을 지속적으로 제공해왔다.
앤 켈러허 인텔 수석부사장 겸 기술 개발 부문 총괄은 “인텔의 공정 기술 혁신은 모두 오리건에서 시작됐으며, D1X 사이트 확장으로 차세대 첨단 기술 제공의 발판을 마련했다”며 “미국의 기술 리더십, 경제 그리고 공급망 탄력성의 근간은 바로 반도체다. 인텔은 세계에서 유일하게 미국 내 공정 및 패키징 연구개발과 대량의 첨단 반도체 제조 역량을 보유한 기업이다”고 전했다.
