[아이티비즈 박채균 기자] 실리콘랩스(지사장 백운달)는 자사의 절연형 게이트 드라이버 제품군에 새롭게 Si828x 버전 2를 추가한다고 18일 발표했다.
이로써 실리콘랩스는 보다 효과적으로 SiC(Silicon Carbide) FET(Field Effect Transistor) 게이트를 효과적으로 구동하는 절연형 게이트 드라이버 제품군을 통해 더 높은 전력 밀도와 보다 발열이 적은 작동, 그리고 줄어든 스위칭 손실을 요구하는 하프-브리지 및 풀-브리지 인버터와 전원공급장치 시장에 대응할 수 있게 됐다.
브라이언 미르킨실리콘랩스 부사장 겸 전력제품 총괄매니저는 “Si828x 제품군은 하이브리드(HEV)/전기자동차(EV)와 산업용 애플리케이션에 이상적인 다양한 이점들을 제공한다”며, “자동차 충전기 및 트랙션 인버터 설계 시 전력 스위칭 용도로 SiC FET를 사용하는 고객은 Si828x 특유의 견고한 게이트 드라이브, 강력한 불포화 오류 응답, 그리고 효율을 높이는 밀러 클램프 조합을 통해 상당한 이점을 얻을 수 있다"고 말했다.
실리콘랩스의 게이트 드라이버는 SiC 솔루션의 선도적 공급회사인 울프스피드와의 협력을 통해 울프스피드의 SiC MOSFET과 함께 테스트를 마쳤다.
제이 카메론 울프스피드 수석부사장 겸 전력제품담당 총괄매니저는 "전기차의 전력 변환 및 인버터 애플리케이션용으로 SiC 적용이 급속히 늘어나고 있다. SiC는 더욱 늘어난 주행거리와 더 빠른 충전 속도를 원하는 소비자들의 요구를 충족하기 때문이다”며 “SiC MOSFET에 최적화한 게이트 드라이버는 이들 애플리케이션에 대한 SiC의 영향을 극대화한다”고 전했다.
