[아이티비즈 박채균 기자] 인피니언테크놀로지스코리아(대표 이승수)는 650V CoolSiC 하이브리드(Hybrid) IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 17일 밝혔다.
CoolSiC 하이브리드 제품군은 650V 트렌치스톱(TRENCHSTOP) 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 역률 보상(PFC)에 적합하며, 주요 애플리케이션은 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치(UPS), 서버 및 텔레콤 SMPS 등이다.
CoolSiC 하이브리드 IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합하여, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60퍼센트, Eoff는 최대 30퍼센트까지 낮춘다. 또 다르게는 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40퍼센트까지 높일 수 있다.
스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM(bill of materials) 비용을 낮출 수 있다. 트렌치스톱 5 IGBT를 하이브리드 IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율을 0.1퍼센트 향상시킬 수 있다.
이들 제품은 순수 실리콘 솔루션과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 역할을 할 것이다. 순수 실리콘 디자인과 비교해서 Hybrid IGBT는 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 또한 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다.
