완전 통합 GaN FET 전력단 프로토타입
[아이티비즈] TI코리아(대표 켄트 전)는 업계 처음으로 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN) FET(Field-effect Transistor) 전력단 프로토타입을 발표했다고 밝혔다.
새롭게 선보인 전력단은 하프 브리지 방식으로 하나의 고주파수 드라이버와 2개의 GaN FET로 구성되어 있으며, 설계가 간편한 QFN(Quad Flat No-leads) 패키지로 제공된다.
TI의 고전압 전원 솔루션 사업부 부사장 스티브 램부스(Steve Lambouses)는 “GaN 기반 전원 설계의 가장 큰 걸림돌 중 하나가 GaN FET 구동과 그와 관련된 불확실성, 그에 따른 패키징 및 설계 레이아웃으로 인한 기생성분이었다”고 말하며, “TI는 설계가 용이한 첨단 패키징으로 최적화된 통합 모듈, 드라이버, 고주파수 컨트롤러의 완벽하고 신뢰할 수 있는 전력 변환 에코 시스템을 제공함으로써 전원 설계자가 GaN 기술의 잠재성을 실현할 수 있도록 했다”고 전했다.
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