[아이티비즈] 반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 SiC(SiC, Silicon Carbide, 탄화규소) 전력 MOSFET SCT20N120을 출시했다.

이번 신제품은 전기ㆍ하이브리드 자동차, 태양이나 풍력 발전, 고효율 드라이브, 전원공급, 스마트그리드 장비 등의 인버터와 같이 전력 소비에 민감한 애플리케이션을 더욱 폭넓게 아우르며 효율성과 신뢰성을 제공한다.

ST는 내구성과 효율성이 탁월한 SiC 전력 반도체 개발을 주도하는 업체 중 하나다. 이번 1200V SCT20N120은 최대 동작 접합 온도가 200°C에 이를 때까지 290mΩ 이상의 온저항(RDS(ON))을 유지하는 제품으로 안정적인 턴오프 에너지(Eoff)와 게이트 전하(Qg) 덕분에 제품군의 스위칭 성능도 해당 온도 범위에서 안정적으로 나타난다. 그 결과 전도 및 스위칭 손실이 낮고 극도로 낮은 누설 전류와 결합하여 열 관리를 간소화 할 수 있으며 안정성도 극대화한다.

ST의 실리콘 카바이드 MOSFET은 에너지 손실이 적고, 비슷한 속도의 실리콘 IGBT보다 최대 세 배나 높은 스위칭 주파수 구현이 가능하다. 따라서 개발자 입장에서는 외부 부품을 더 작게 지정하고 크기와 무게, 제조 비용을 줄일 수 있다. SCT20N120은 고온 내구성도 탁월하여 전기 자동차용 파워 모듈과 같은 애플리케이션의 냉각 시스템 설계를 간소화할 수 있다.

SCT20N120은 ST의 독점적인 HiP247 패키지의 열 효율성이 더해져 최대 200°C까지 안정적으로 작동할 수 있는 동시에 산업표준 TO-247 파워 패키지 아웃라인과 호환성을 유지한다.